삼성전자 zHBM·400단 V10 공개 SK하이닉스 375단 낸드 선보여 중국 저가 우회로 막힌 빅테크 디지털데일리 반도체레이다 독자 여러분 이번 주도 열심히 달린 <반도체레이다>가 반도체 소부장 이슈를 들려드립니다. <반도체레이다>에서는 금주에 놓쳐서는 안 되는 중요한 뉴스를 선정해 보다 쉽게 풀어드리고 이해할 수 있도록 돕는 코너입니다. 반도체레이다와 함께 놓친 반도체 이슈 체크해보시죠. <편집자주> [디지털데일리 배태용기자] 미국 산타클라라에서 열린 세계 최대 메모리 및 스토리지 전시회 FMS 2026은 차세대 인공지능 메모리 시장의 주도권을 쥐기 위한 한국 반도체 기업들의 기술력을 재확인하는 자리였습니다. 삼성전자가 가속기 상단에 메모리를 직접 쌓아 올리는 3D 구조를 공개하며 미래 아키텍처의 기준을 제시한 가운데 SK하이닉스는 계층형 메모리 인프라 최적화 비전과 최신 낸드 솔루션을 전면에 내세웠습니다. 동시에 중국 메모리 업체의 단가 정책으로 저가 우회로가 가로막힌 글로벌 빅테크들이 한국 메모리 기업에 의존할 수밖에 없는 시장 역학 관계가 형성되며 하반기 메모리 단가 협상력은 한층 단단해질 전망입니다. 이번 주 위클리반도체에서는 FMS 2026을 달군 국내 양대의 기술 혁신과 글로벌 시장에서 강화되는 프라이싱 파워의 배경을 심도 있게 짚어봅니다. ◆ 삼성전자 zHBM·400단 V10, SK하이닉스 계층형 메모리·375단 낸드 공개 모바일 바다이야기하는방 삼성전자와 SK하이닉스는 FMS 2026 현장에서 차세대 인공지능 메모리 포트폴리오를 대거 공개하며 글로벌 빅테크 및 참관객들의 시선을 사로잡았습니다. 삼성전자는 기존 평면 배치 방식을 넘어 인공지능 가속기 상단에 고대역폭메모리를 수직으로 직접 쌓아 올리는 차세대 3D 적층 구조인 zHBM 실물 모형을 최초로 선보였습니다. zHBM 기반 인터페이스 시스템은 8세대 고대역폭메모리인 HBM5와 비교해 최대 8배 높은 성능과 3배 향상된 전성비를 제공하며 열 저항은 절반 이하로 낮춘 것이 특징입니다. 낸드 부문에서는 TSV 기술을 결합한 온디바이스 AI 특화 zNAND-O와 함께 웨이퍼 본딩 및 3-스택 기술을 적용해 전 세대와 비교해 집적도를 58% 끌어올린 400단 이상의 10세대 V10 BV-NAND를 최초 공개했습니다. SK하이닉스는 인공지능 에이전트 시대에 맞춘 계층형 메모리 인프라 최적화 비전을 발표하고 전 계층을 아우르는 풀스택 솔루션을 전시했습니다. 현장에서는 엔비디아의 차세대 가속기와 연동되는 HBM4 실물과 저전력 모듈 SOCAMM2 및 CXL 기반 메모리 모듈 시연이 진행돼 주목을 받았습니다. 아울러 웨이퍼 간 접합 공법을 적용해 전성비를 전 세대와 비교해 2.5배 높인 375단 4D 낸드 웨이퍼를 최초 공개하며 내년 상반기 고성능 eSSD 양산 계획을 확정 지었습니다. 양사는 D램과 낸드 패키징 전반을 아우르는 최첨단 기술력을 입증하며 인공지능 시대 메모리 장벽을 돌파할 명확한 이정표를 제시했다는 평가를 받습니다 알라딘바로가기 . ◆ CXMT 단가 하한선 사수 속 '중국산 우회로' 봉쇄…삼성·SK 프라이싱 파워 독식 기술 격차 확대와 더불어 글로벌 메모리 시장의 주도권 역시 한국 반도체 진영으로 빠르게 쏠리는 모양새입니다. 최근 애플이 제조원가 절감을 위해 중국 창신메모리테크놀로지(CXMT)와 모바일 D램 공급 단가 협상을 진행했으나 단가 인하를 거절당하는 비화가 전해졌습니다. CXMT가 삼성전자나 SK하이닉스 수준의 높은 가격을 고수한 배경에는 화웨이와 샤오미 등 중국 내 IT 기업들이 내수 자립을 위해 물량을 고단가로 장기 선。한 상황이 자리 잡고 있습니다. 이로 인해 빅테크 기업들이 단가 계약에서 주도권을 쥐기 위해 즐겨 활용하던 중국산 저가 부품 교차 채용 카드가 무용지물이 됐습니다. 상반기 내내 이어진 고대역폭메모리 생산 전용 라인 증설로 범용 D램의 웨이퍼 투입량이 줄어들면서 전체 메모리 가격이 급등하는 멤플레이션 현상이 고착화됐습니다. 이러한 상황에서 중국 메모리 업체마저 제값을 요구함에 따라 빅테크 기업들은 원가 절감의 우회로를 잃게 됐습니다. 중국 업체가 범용 D램의 가격 하한선을 단단하게 지켜주면서 삼성전자와 SK하이닉스는 저가 범용 물량 출하 압박에서 벗어나 HBM4와 LPCAMM2 및 eSSD 등 초고부가 제품 라인업에 생산 역량을 집중할 수 있게 됐습니다. 범용 D램 공급 과잉 우려가 사라진 가운데 고부가 인공지능 메모리 시장을 독식한 국내 반도체 기업들은 하반기 글로벌 빅테크와의 단가 협상에서 주도권을 쥐고 높은 영업이익률을 이어나갈 것으로 전망됩니다. : 0px 0px"